華為公開半導(dǎo)體技術(shù)專利 可提高器件輸出電阻進(jìn)而提升開關(guān)比

企查查 App 顯示，日前，華為技術(shù)有限公司公開 “石墨烯場效應(yīng)晶體管”專利，公開號為 CN110323266B。

IT之家了解到，專利摘要顯示，該申請?zhí)峁┮环N石墨烯場效應(yīng)晶體管，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，可提高器件輸出電阻，從而提高開關(guān)比。一種石墨烯場效應(yīng)晶體管，包括：襯底、第一柵電極、第二柵電極、第一柵介質(zhì)層、第二柵介質(zhì)層、溝道層以及源電極和漏電極。

此外，溝道層的材料包括 AB 堆垛雙層石墨烯或者 AB 堆垛多層石墨烯;第一柵電極和第一柵介質(zhì)層設(shè)置于溝道層的一側(cè)，第二柵電極和第二柵介質(zhì)層設(shè)置于溝道層的另一側(cè);第一柵電極包括多個(gè)間隔設(shè)置的第一子電極以及第一連接子電極;第一子電極的延伸方向與源電極和漏電極的間距方向交叉，第一連接子電極與溝道層在襯底上的投影無交疊;第一子電極和第二柵電極用于向溝道層提供垂直于溝道層的縱向電場。

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